Merkmal Wert Typ STP9NK60Z Produkt-Art MOSFET Gehäuse TO-220 Marke STMicroelectronics Ausführung N-Kanal Dauerstrom I(d) 7 A Spannung U 600 V Leistung (max) P(TOT) 125 W R(DS)(on) 0,95 Ω Montageart Durchführungsloch Anzahl Kanäle 1 Produktbeschreibung Der STMicroelectronics STP9NK60Z ist ein N-Kanal MOSFET im TO-220 Gehäuse. Das Bauteil bietet eine maximale Dauerstromstärke von 7 A und eine Spannungsfestigkeit von 600 V. Mit einem maximalen Leistungsverbrauch von 125 W und einem niedrigen R(DS)(on) von 0,95 Ω eignet sich dieser MOSFET für verschiedene elektronische Anwendungen. Ideal für den Einsatz in Leistungssteuerungen und Schaltkreisen, bei denen Zuverlässigkeit und hohe Effizienz gefragt sind.